光有源器件是光通信系统中将电信号转换成光信号或将光信号转换成电信号的关键器件，是光传输系统的心脏。将电信号转换成光信号的器件称为光源，主要有半导体发光二极管(LED)和激光二极管(LD)。

  将光信号转换成电信号的器件称为光检测器，主要有光电二极管(PIN)和雪崩光电二极管(APD)。光纤放大器成为光有源器件的新秀，当前大量应用的是掺铒光纤放大器(EDFA)，很有应用前景的是拉曼光放大器。

  典型光有源器件包括激光器、光探测器、光放大器等。无源器件包括光连接器、光开关、波分复用器、光滤波器等。

  目前我国只有少数几家能自己生产光源和检测器的管芯，而且绝大多数都是2.5Gb/s以下速率的水平。这一些产品由于不能同时达到高性能、高成品率、高重复性、高可靠性和低成本等产业化要求，实际上只能用于一些要求较低的系统，而在高速系统中的应用几乎为零。国内光通信设施和系统所需的高速率管芯和单元器件以及掺铒光纤放大器的关键元件掺铒光纤等都需要进口。国内的有源器件公司大都是买了国外的管芯做器件，买了国外的器件做模块，买了国外的掺铒光纤做放大器的组装公司。光通信设备公司则买了国外的模块做系统。

  我国开展光有源器件的研究是从20世纪70年代开始的。当时西方国家根据所谓“巴统”规定，对我国进行高新技术的封锁和禁运，光有源器件亦在其中。于是中科院半导体所、武汉邮科院、电子部第44所、电子部第13所等单位，发扬“自力更生”的精神，研制了波长为850nm的所谓短波长光器件，如采用GaAlAs/GaAs材料同质结或异质结结构的LD和LED光源、Si—PIN检测器等。虽然现在来看这一些器件的性能较差，但也满足了我国光通信起步阶段的需要。

  此后，这些单位又开发了波长为1310nm和1550nm的所谓长波长器件，如采用InGaAsP/In材料隐埋双质结构的半导体激光器、采用InGaAs/In材料的PIN检测器等。这些芯片本身的性能有了很大提高，但在研制初期，芯片与光纤之间采用环氧树脂进行粘结，所以器件的气密性能差、粘结强度小、光纤易移位，因而整个器件的性能和可靠性较差。后来采用全金属化的耦合封装工艺，器件的可靠性和寿命大幅度的提升，满足了当时光通信日益发展的需要。

  据杭州中经智盛市场研究有限公司发布的《2022-2026年光有源器件市场现状调查及发展前途分析报告》显示：我国光通信所需的光有源器件，大多数都是由国内生产商提供的，以致西方国家认识到在有源器件等方面再用“巴统”向我国进行技术封锁和禁运，反而失去中国的大市场，是得不偿失的，于是只得宣告“巴统”解散，国外的光有源器件开始大量涌入我国市场。

  随着光通信技术的迅速发展，对光有源器件的技术方面的要求愈来愈高。虽然我国相关的单位做出很大努力，跟踪世界潮流，取得了量子阱半导体材料与器件技术的突破，分布反馈(DFB)半导体激光器等先进器件的实验室水平也有很大提高，但由于投入的人力和物力远远不足，与国外领先水平的差距日显突出。

  根据对部分厂商的调查，我国光有源器件的销售量为64.9万只(其中出口约19.3万只，国内销售为45.6万只)，销售总额为4.7亿元，增长了94.2%。

  关于全国光有源器件的市场情况，有不同的估计。有的认为是11亿元人民币，其中光收发(光源—检测)一体模块的市场占有率为40%、DWDM用激光器为39%、泵浦激光器为20%、光放大器为1%。有的认为是14亿元，其中光收发一体模块的市场占有率为36%、DWDM用激光器为36%、泵浦激光器为14%、光放大器为14%。预计今后数年光有源器件将以40—50%的速度增长，其中市场销售额将增加70%以上。