也是将光的能量转化为电能，两者首要差异有：制造流程与工艺不同、呼应速度不同、灵敏度不同、作业方法不一样，其间光电池能够作业在零偏状态下，光电二极管作业在反偏状态下。

  D1表明光信号传感器，不同的传感器对照入的光敏感性不同，能够精确的经过器材的光谱呼应曲线中查到对不同波长的敏感度。 在相同波长下，光强越强，进入电路中的电流越大。

  R2是IV改换比的电阻，假定R2=1KΩ，表明有1mA的电流输入，则在运放输出端会得到1V的信号，则IV改换比为：1000：1。

  C1的引进作为是改动电路频率特性，下降高频噪声。 一般光信号传感器都会有结电容的存在，当信号频率过高时，结电容和反应电阻会有产生振荡的或许，所以C1在这里也会起到相位补偿的效果。

  运放是此电路的首要器材，依据虚短、虚断特性，当D1中的电流产生显着的改变时，PIN2的电势不受影响，相当于接到虚地，这样D1的电流悉数流过R2，能够牢靠的将电流转化为电压。

  对小信号来说，运放的带宽是决议处理信号频率规模最首要的参数，带宽越宽，高频特性越好，能处理信号的频率越高。

  压摆率也称为转化速率，是运放在闭环状况下，一个大信号从运放输入端输入，从运放输出端测得信号的上升速率，表现的是运放对信号改变速度的反映才能，在大信号输入时，要重视这一参数，便于评价对速度的要求。

  一般状况，感光面积越大，结电容也会越大; 为减小结电容大都状况都需求加一个反向偏压，结电容与反向偏压是反比的曲线联系。 在较高速率要求的光信号传感器，光敏面积很小。 例如，APD的制造流程与工艺感光面积极小，再加上较大的偏压，信号频率能高达1G，常应用于光通信职业。

  在上一章已有对C1的介绍，取值上除了要考虑抵消光传感器结电容的相位补偿，还要归纳R2的值，核算频率带宽。 实践规划中，依据噪声状况，能够把此处的带宽恰当的放宽一些。 而在后端的处理电路中，依据信号状况，再把带宽收紧。

  假如IV改换比为1000，因为上述4条要素的效果，并不是对一切的频率信号IV改换比都是1000，当信号频率增大到某些特定的程度时，IV改换比会下降。 以高斯波形驱动发光管，照耀光电二极管为例，经同一种电路IV改换后，几种不同频率下的输出波形如下：

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  ，适用于对贵重物品或物件进行维护，以及其他需求进行振荡提示的场合。下图

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