Micro LED是具有超小尺度、超高亮度、对比度、长寿命、低功耗、快速呼应等优势的新式显现技能，其潜在运用丰厚。现在Micro LED首要运用在于大尺度显现、AR近眼显现范畴，跟着近年技能与本钱的继续优化，Micro LED技能也在往可穿戴设备、车载显现等更多运用范畴延伸。

  而在近来，中国高校团队相继在Micro LED范畴获得新研讨成果，推进Micro LED技能运用往光通信和深紫外范畴运用。

  近来，外国媒体报道，郑州大学、郑州轨迹工程学院和北方民族大学研讨团队在学术期刊《Scientific Reports 》上宣布一种进步深紫外Micro LED功率的新方法。

  研讨人员解说，规范深紫外Micro LED存在严峻的电子走漏，空穴注入功率低的问题，且跟着尺度越小，侧壁缺点越多，功率将逐渐下降。为处理该问题，研讨人员在空穴供给层和电子供给层(p-HSL和n-ESL)中引入了极化电荷(polarized bulk charges)，以增强载体的结合，进步载体的注入功率。

  研讨人员标明，经过新技能运用，团队研讨的DUV Micro LED电子密度提升了77.93%，空穴密度提升了93.6%。Micro LED的光功率和最大外量子功率别离到达31.04 W/cm2 和2.91%，在120 A/cm2 电流密度下，功率仅下降2.06%。

  厦门大学和中国台湾阳明交通大学的研讨人员经过将氮化铟镓(InGaN)黄光、红光 Micro LED运用于光通信 (VLC)体系傍边，完成了更高的光通信功率。

  研讨人员标明，与光通信体系中常用的硅基光电二极管比较，氮化铟镓光电二极管具有低噪和高灵敏度的优势。

  该研讨标明，与之前运用的较短波长Micro LED光电二极管比较，此次研讨的红/黄光Micro LED对蓝光具有更高的呼应程度。

  据悉，长波长的氮化铟镓Micro LED具有在新式显现和可见光通信范畴的运用潜力。在本次研讨中，研讨团队为光通信运用制作了红光和黄光Micro LED，作为光通信发射器和光电二极管 (PD)，并选用应力调制工程和原子层堆积(ALD)技能来进步传输和检测功能。

  试验依据成果得出，在用作光通信发射器时，红光和黄光Micro LED在2000 A/cm2 电流密度下表现出439.7和532.5 MHz的高调制带宽，别离完成1.9和2.4 Gbps的数据速率。当用作光通信光电二极管时，具有高铟成分量子阱的长波长Micro LED表现出更长波长吸收边际，这有望在滤除荧光成分的一起完成对蓝光更高的呼应度。

  别的，红光和黄光Micro LED光电二极管的呼应光谱与大部分蓝色信号堆叠，因而关于450 nm的波长光，红光和黄光Micro LED的呼应度别离高达0.208和0.135 A/W，高于现有的氮化铟镓LED光电探测器。

  此外，研讨团队还标明，根据波长选择性，长波长的Micro LED电二极管可滤除缓慢的荧光发射，以此来完成高于硅基探测器数倍的白光调制带宽。