原标题：科研前沿 中山大学张佰君教授：单颗电驱动金字塔结构InGaN/GaN Micro-LED及其在光遗传学中的使用

　　近来，第七届世界第三代半导体论坛暨第十八届中国世界半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举办。本届论坛由第三代半导体工业技能创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研制及工业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新资料生产力促进中心有限公司与半导体工业网一起承办。

　　期间，由广东中民工业技能创新研讨院有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司协办支撑的“Mini/Micro-LED技能“分会如期举办。

　　III族氮化物资料体系具有红外到深紫外光谱掩盖规模大、能带隙宽、电子饱满速度高、电击穿场强、极化效应强等共同功能，从光电到电力电子范畴，使用规模广泛。近年来，III族氮化物资料在交叉学科中的使用越来越遭到研讨人员的重视。

　　中山大学电子与信息工程学院教授张佰君做了”单颗电驱动金字塔结构InGaN/GaN Micro-LED及其在光遗传学中的使用“的主题陈述。

　　在曩昔的十年中，GaN基器材在学术和商业上都取得了很大发展，例如固态照明 (SSL) 和显现使用中的 LED、射频扩大使用中的高电子迁移率晶体管 (HEMT)、功率电子器材中的功率电子器材等。

　　陈述指出，GaN基器材具有体积小、生物相容性好等长处，未来将在生物医学范畴得到广泛使用。陈述介绍了电驱动的单棱锥GaN基微型LED，以及根据GaN的集成生物神经探针的研讨成果，研讨显现该方向在光遗传学范畴具有使用潜力。

　　嘉宾简介：张佰君教授，首要研讨高速、高功率的 InGaAsP/InP 半导体激光器。1998年至2000年在中国科学院半导体研讨所从事博士后研讨，首要从事高速半导体激光器的封装和单片集成分布式反应（DFB）激光器和电吸收（EA）的制作调制器。2000年参加日本名古屋工业大学纳米器材与体系研讨中心，任日本学术振兴会（JSPS）特约研讨员。尔后一向从事GaN资料与器材研讨。他的作业包含发光二极管 (LED) 和电子设备。2006年参加广州中山大学光电资料与技能国家重点实验室，任教授。他现在的爱好会集在 GaN 基半导体资料的成长和器材制作，包含 GaN 基光电器材、pH 传感器、太赫兹器材和集成光极。