硅基光电子技能具有光的极高带宽、超快速率和高抗搅扰特性以及微电子技能在大规划集成、低能耗、低成本等方面的优势，更习惯未来高速、杂乱的光通信体系。一起能够满意长距离数据传输以及微电子芯片间的短距离大容量数据传输，经过与微电子集成电路进行单片集成，完成高速、低功耗的片上互连，打破微电子处理器在数据互连上的瓶颈。

　　硅基光电子技能的开展始于上世纪80年代，Soref发现了晶体硅中的等离子色散效应，为硅基电光调制供给了理论基础。硅光子技能其核心理念是“以光代电”，即使用激光束替代电子信号进行数据传输。硅光子技能将硅光模块中的光学器材与电子元件整合到一个独立的微芯片中，使光信号处理与电信号的处理深度交融，终究完成真实意义上的“光互联”。

　　硅基光电子集成芯片的功能受限于硅资料自身的光电功能，仍存在无法高密度集成光源、集成低损耗高速光电调制器等问题。因而，使用不同种资料发挥其各自光电特性优势的硅基光电异质集成技能近年来开展迅速。硅基光电异质集成技能不只具有硅资料可大规划 CMOS 制作的特色，一起充分发挥不同资料的优异光电特性，可完成传统硅光技能无法比美的器材目标，从而完成真实意义上的硅基光电子单片集成体系。

　　近 10 年来，硅基光电子集成的要害资料和器材研讨引起了科学界和工业界的广泛重视，仅美国 Intel 公司对硅基光电子的研制投入就高达数十亿美元。

　　美国国防部高档研讨方案局(DARPA)建立“用于通用微标准光学体系的激光器”(LUMOS)项目，投入 1900 万美元进行硅基异质资料集成光源的研讨。日本动力与工业技能开展安排投入 22.5 亿日元用于硅基高亮度、高效率激光器的开发。欧盟“地平线 万欧元用于异质硅基光源的开发。在政府的一系列支撑推进下，光电异质集成技能飞速开展，在学术和工业范畴取得了一系列技能打破。

　　在“863 方案”“973 方案”和国家自然科学基金等支撑下，我国也加大了硅基异质集成方向的研讨力度，在硅基要害光电子集成器材等方面取得了一系列重要效果，调制、勘探、复用与解复用等分立器材现已研制成功，异质集成衬底、光源、高速光电调制器等方向取得了一系列重要开展。

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