由第三代半导体产业技术创新战略联盟、九峰山实验室共同主办的2024九峰山论坛采取“1主+8专+多场行业专题会+多场展边会”模式，9位国内外院士、300多名行业领军代表出席，在9日至11日展会期间将共有180余位嘉宾分享行业报告

  论坛现场，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲发布《第三代半导体产业高质量发展报告（2023）》。她指出，2023年，伴随半导体产业逐渐复苏，以及电动汽车、新能源等应用市场的蓬勃发展，国内第三代半导体技术和产业取得显著进步。

  作为湖北省十大实验室之一，以建设世界领先的化合物半导体研发和创新中心为愿景，成立3年来，九峰山实验室已在中国光谷建立起先进的化合物半导体科研及中试平台。九峰山实验室主任丁琪超现场发布九峰山实验室2024研发服务体系。

  丁琪超介绍，九峰山实验室目前已搭建起完备的材料体系，以及包含7条工艺线的量产级研发流片平台，能力全面的先进检测分析平台。已具备以“异质集成”、“先进键合”、“化合物外延”、“集成微波无源器件（IPD）PDK”、“碳化硅（SiC）沟槽”、“PZT压电MEMS”为代表的技术服务能力。基于异质集成的未来技术规划方向，今年，实验室推出五个开放式基金课题，提供流片资源，检测资源，期待与更多合作伙伴一起实现相应技术的实现和突破，共同攀峰。（详见九峰山实验室公众号同日发布的次条文章。）化合物半导体展

  展会现场，超万平方米展会面积吸引了来自全球10多个国家的200多家企业参展。其中，多家国际顶级展商是首次亮相中国展会。

  众多国际有突出贡献的公司齐聚中国展示最新技术与产品，这在全球化合物半导体领域内也是首次。

  在华工科技展台，1.6T高速硅光模块产品正被众人围观，这是该产品继在2024OFC美国光纤通信博览会全球首发后，在国内的首次正式亮相；展位另一端，碳化硅检测系列新品与首套国产高端半导体晶圆激光切割系列装备也引得现场专业观众频频驻足。本次展会，华工科技围绕第三代化合物半导体，重点展出半导体激光+量测先进装备解决方案及最新高速率光模块产品。

  总部位于英国的蚀刻和沉淀工艺解决方案及设备供应商SPTS展示其在化合物半导体等应用领域的最新产品和工艺解决方案。“希望能够通过本次论坛加强与化合物半导体行业客户之间的沟通与合作，共同探索发展新机遇，为公司未来发展注入新的动力。”公司中国区销售负责人易义军说。

  去年举行的首届中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业大会上，光谷围绕打造全球化合物半导体创新灯塔和产业高地，发布九峰山科技园规划，设立产业基金，正式吹响化合物半导体产业高质量发展的冲锋号。

  光谷因光而兴、逐芯前行，一路芯光灿烂，获批国家光电子信息产业基地，打造了独树一帜的光电子信息产业。在集成电路领域，光谷集聚了一批链主企业，形成了以存储器为核心、化合物半导体突破性发展的产业格局。“一核三区，双轴交汇”的九峰山科技园加快建设，长飞先进、先导稀材等百亿级项目相继启动建设，化合物半导体产业从点上开花走向链上成景。

  本届九峰山论坛现场，12个项目集中签约，总金额179亿元。这些项目覆盖芯片设计、制造、检测、应用等多个环节，将助力光谷加快打造化合物半导体产业高地，形成完整化合物半导体全产业链。

  未来，光谷将诚邀更多半导体领域的企业、研究机构，参与构建中国光谷半导体产业链，携手打造世界化合物半导体产业高地。

  中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任当前我国化合物半导体产业链基本形成，有机会形成有国际竞争力的产业体系。半导体产业的全球化属性是不可改变的，创新对半导体行业特别的重要，加强技术探讨研究和原始创新，实现关键核心技术突破，以创新驱动产业高水平质量的发展，同时要坚持加强全球产业链供应链的协作，仍然是半导体产业高质量发展的重要路径。

  美国国家工程院院士、香港科技大学讲席教授中国在化合物半导体产业的核心领域还存在一定差距，但行业整体发展速度领先全球，化合物半导体领域跑出了中国速度，就像中国高铁那样速度是世界第一，这将为中国带来非常大的发展潜力。

  第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长化合物半导体产业是我国在全球半导体产业竞争格局重构过程中一个重要的突破口，既要补短板，也要锻长板，期待能尽快形成发展合力，打通产业链断点堵点，用10年时间全链条进入世界先进行列。

  中国工程院院士、华中科技大学校长智能微系统具有尖端科技深度交叉融合，高集成度、高性能等特点。物联网、航空航天、医疗健康都是智能微系统的驱动力，MEMS、光电子、3D异质/异构集成技术是智能微系统的核心要素。智能微系统是一种新质生产力的使能技术，可以催生大批升级换代甚至变革行业的新概念产品，为相关传统产业跨越式发展提供新机遇。

  中国科学院院士、武汉大学教授电力电子器件及模块产业链条长、可靠性要求苛刻，传统试错验证选代的方法难以达到ppb级质量发展要求，数字孪生技术与DFX工程方法的结合，能帮助芯片及封装企业快速产品选代实现极致可靠的产品目标，在工艺生产、新型材料研发与改良、创新性装备开发上也能很好的应用。

  真空互连和真空封装是未来先进封装的技术的重要分支之一，能真正的完成ppb级质量发展要求。数字孪生技术与DFX工程方法的结合，能帮助芯片及封装企业快速产品迭代，实现极致可靠的产品目标。

  EV Group首席键合科学家等离子体激活键合和室温共价键合两种工艺类别对于化合物半导体键合以及将化合物半导体集成到Si技术中用于光子应用都非常有前途。

  用于AI/ML的高带宽计算互连将需要光学i/o，硅光子学是实现高带宽和高能效的光学i/o的理想平台。异质集成使不同的光子功能完全集成在硅光子平台上，具有高可靠性和可制造性。集成激光器和放大器的硅光子学在光通信和光互连等领域存在广泛的应用。

  芯联集成电路制造股份有限公司执行副总裁新能源汽车向电动化、智能化发展，电动化正迎来新一代技术突破。SiC从根源上提高电驱功率转化效率，实现整车效率飞跃。SiC特性使800V超充成为可能，满足特定应用场景需求。借鉴新能源汽车发展路径，中国SiC产业有望实现换道超车。

  华为数字能源技术有限公司首席科学家工业革命伴随着能源革命，绿色低碳智能世界加速到来。碳中和引发能源生产和消费革命，同时带来各行各业升级换代机会。SiC为代表的化合物功率器件与绿色能源产业需求高度共振。SiC产品质量管控体系亟待提升，建立互信的应用端数据和生产端数据闭环。GaN行业趋势方面，突破可靠性基础上的大功率、高频化技术演进，引入新结构。8英寸衬底、外延、工艺技术持续演进是可能趋势，但需要规模产能需求的牵引。

  云南锗业公司首席科学家绿色低碳发展，万物智能互联成为全世界共识，5G、人工智能、新能源等发展提速，市场驱动需求猛增。砷化镓和磷化铟的光模块和射频器件是目前发展的热点。磷化铟在电信、数据通讯应用最大，消费感知、可穿戴设备、汽车激光雷呈逐年上升趋势。磷化铟、砷化镓衬底大直径低位错关键技术突破进程加快，高品质、高均匀性、低缺陷衬底需求剧增。磷化铟、砷化镓衬底材料需要-提高合格率、降低成本。

  National Instruments (NI) 全球副总裁，技术负责人汽车行业需要一个通用的、可接受的、精确的、针对特定应用的可靠性标准，AQGs工作组正在与全球标准化机构进行长期和深入的交流，以使行业具有最大的价值。

  株洲中车时代电气股份有限公司 中车科学家功率半导体是电能转换与控制的核心芯片，是支撑交通与能源领域“双碳”战略的基础。主要技术挑战涉及“低功耗芯片+异构封装”带来的高电压、大电流、高耗散功率、高温可靠性等以“热”为中心的一系列科学与技术问题。

  华工科技产业股份有限公司党委委员、副总裁随着大模型训练走向深入，AI落地到应用场景正在爆发式发展。AI需要的连接必须高速，低能耗，低延时。基于InP/GaAs化合物半导体的高速光芯片是高速连接的引擎。高速数通光模块的迭代与数据中心架构升级相辅相成。流量数据的快速地增长，不断推动数据中心架构升级。数据中心内外部互连正在向400G快速升级，800G已成为全新需求，应用在超大规模数据中心、云计算及人工智能算力中心中。1.6T光模块在2024年进入公众视野，3.2T也在悄然酝酿之中。

  九峰山实验室领域首席科学家AI时代，Micro-LED是智能交互的重要端口，是连接现实世界和虚拟世界的窗口。未来显示技术中 ，显示与传感融合，万物互联，一切皆可屏。Micro-LED显示是未来半导体显示的关键基础平台技术，是显示产业升级和经济稳步的增长的重要机遇。

  长飞光纤光缆股份有限公司执行董事兼总裁、长飞先进半导体有限公司董事长长飞先进半导体将在武汉基地建设国内前列、对标国际一流的化合物半导体创新中心，其在为长飞先进半导体后续发展提供强大的研发及技术支撑的同时，亦将推动国内碳化硅产业的快速发展。未来将持续加大产品研制投入、全方面提升工艺水平，集中全力攻破国产主驱芯片上车壁垒，为保障我们国家新能源汽车产业自主可控、促进第三代化合物半导体产业高质量发展做出更大贡献。

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