我国优秀党员、我国科学院院士，我国科学院半导体研讨所研讨员、我国闻名半导体光电子学家王圩先生因病医治无效，不幸于2023年1月26日18点11分在北京去世，享年86岁。

　　王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1960年结业于北京大学物理系半导体专业，同年到我国科学院半导体研讨所作业至今。

　　他是我国闻名的半导体光电子学专家，为我国半导体学科建设、技能立异、工业复兴以及人才培养做出了重要奉献。先后取得国家“六五”攻关奖、我国科学院科学技能进步一等奖、国家科学技能进步二等奖、我国资料研讨学会科学技能一等奖等。1997年中选我国科学院院士。

　　20世纪60年代率先在国内研制成功无位错硅单晶，为我国硅平面型晶体管和集成电路的展开做出了奉献。

　　70年代率先在国内研制成功单异质结室温脉冲大功率激光器和面发射高亮度发光管，并成功应用于夜视和精细测距仪等要害技能上；参加建立了国内第一批Ⅲ-V族化合物液相外延办法，为国内初次研制成功GaAs基短波长脉冲激光器奠定根底。

　　80年代至90年代研制成功1.3微米/1.5微米激光器和应变量子阱动态单模散布反应激光器，为我国供给了用于研制第二、第三代远程大容量光纤通信急需的光源。

　　进入新世纪以来，掌管展开大应变量子阱资料以及不同带隙量子阱资料的单片集成等要害技能的研讨，建立了可集成半导体激光器、电吸收调制器、光放大器、探测器以及耦合器等部件的集成技能渠道，为展开多个光学部件的单片集成技能奠定了根底。

　　王圩院士终身酷爱党、酷爱祖国、酷爱科学事业！他终身勤勉不辍、学风谨慎、务实求真、决心立异，倾其毕生精力投身于半导体光电子科学事业！他严于律己，忠厚宽恕，以身作则，淡泊名利。他的去世，是我国科学界和教育界的重大损失！他的精力，将鼓励后人猛进前行！他的成绩和道德，将为我国科技事业建立一座永存的丰碑。对王圩院士的去世，咱们表明殷切的哀悼！