我国优异党员、我国科学院院士，我国科学院半导体研讨所研讨员、我国闻名半导体光电子学家王圩先生因病医治无效，不幸于2023年1月26日18点11分在北京去世，享年86岁。

　　王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1960年结业于北京大学物理系半导体专业，同年到我国科学院半导体研讨所作业至今。他是我国闻名的半导体光电子学专家，为我国半导体学科建设、技能立异、工业复兴以及人才培育做出了重要贡献。先后取得国家“六五”攻关奖、我国科学院科学技能进步一等奖、国家科学技能进步二等奖、我国资料研讨学会科学技能一等奖等。1997年中选我国科学院院士。

　　王圩院士在半导体光电子学范畴辛勤耕耘、造就颇深，并取得了一系列重要科研成果。20世纪60年代率先在国内研制成功无位错硅单晶，为我国硅平面型晶体管和集成电路的展开做出了贡献。70年代率先在国内研制成功单异质结室温脉冲大功率激光器和面发射高亮度发光管，并成功使用于夜视和精细测距仪等要害技能上；参加建立了国内第一批Ⅲ-V族化合物液相外延办法，为国内初次研制成功GaAs基短波长脉冲激光器奠定根底。80年代至90年代研制成功1.3微米/1.5微米激光器和应变量子阱动态单模散布反应激光器，为我国供给了用于研制第二、第三代远程大容量光纤通信急需的光源。进入新世纪以来，掌管展开大应变量子阱资料以及不同带隙量子阱资料的单片集成等要害技能的研讨，建立了可集成半导体激光器、电吸收调制器、光放大器、探测器以及耦合器等部件的集成技能渠道，为展开多个光学部件的单片集成技能奠定了根底。

　　王圩院士终身酷爱党、酷爱祖国、酷爱科学工作！他终身勤勉不辍、学风谨慎、务实求真、决心立异，倾其毕生精力投身于半导体光电子科学工作！他严于律己，忠厚宽恕，以身作则，淡泊名利。他的去世，是我国科学界和教育界的严重损失！他的精力，将鼓励后人猛进前行！他的成绩和品德，将为我国科技工作建立一座永存的丰碑。对王圩院士的去世，咱们表明殷切的哀悼！

　　我国优异党员、我国科学院院士，我国科学院半导体研讨所研讨员、我国闻名的半导体光电子学专家王圩先生因病医治无效，不幸于2023年1月26日18点11分在北京去世，享年86岁。半导体研讨所和半导体光电子学科范畴为失掉这样一位学科权威，扼腕痛惜；家人亲友，为失掉这样一位挚爱亲人，无限沉痛；学生弟子，为失掉这样一位良师益友，殷切哀悼。

　　王圩院士是我国闻名的半导体光电子学专家，1937年12月25日生于河北文安，1960年结业于北京大学物理系半导体专业，同年到我国科学院半导体研讨所作业至今。王圩院士为我国半导体学科建设、技能立异、工业复兴以及人才培育做出了重要贡献。先后取得国家“六五”攻关奖、我国科学院科学技能进步一等奖、国家科学技能进步二等奖、我国资料研讨学会科学技能一等奖等。宣布学术论文百余篇。1997年中选我国科学院院士。

　　王圩院士是我国半导体激光器的开拓者，在半导体光电子范畴辛勤耕耘、造就颇深，并取得了一系列重要科研成果。20世纪60年代率先在国内研制成功无位错硅单晶，为我国硅平面型晶体管和集成电路的展开做出了贡献。70年代率先在国内研制成功单异质结室温脉冲大功率激光器和面发射高亮度发光管，并成功使用于夜视和精细测距仪等要害技能上；参加建立了国内第一批Ⅲ-V族化合物液相外延办法，为国内初次研制成功GaAs基短波长脉冲激光器奠定根底。80年代至90年代选用大过冷度技能和量子取舍成长技能，研制出1.3微米/1.5微米激光器和应变量子阱动态单模散布反应激光器，为我国供给了用于研制第二、第三代远程大容量光纤通信急需的光源。进入新世纪以来，在半导体光电子资料和器材的前端研讨范畴，掌管展开大应变量子阱资料以及不同带隙量子阱资料的单片集成等要害技能的研讨，建立了可集成半导体激光器、电吸收调制器、光放大器、探测器以及耦合器等部件的集成技能渠道，为展开多个光学部件的单片集成技能奠定了根底，成为我国展开InP基功用集成资料及器材研讨、技能辐射和使用的基地。

　　王圩院士甘为人梯、提拔后进，在教育战线余年，倾泻了很多汗水和汗水，培育和造就了一大批优异科技人才，对我国光电子学工作的展开和光电子学范畴人才的培育作出了重要贡献。他谨慎务实、斗争不止的科学精力和爱国贡献、淡泊名利的崇高品德，更是广阔科技作业者和师生学习的典范。

　　王圩院士的终身，是无私贡献的终身，是荣耀巨大的终身，他对国家和公民无限忠诚，将毕生精力贡献给了我国科技与教育工作。他赋有真知灼见和创始精力，以国家的严重需求为方针，为我国的半导体工作作出严重贡献。他严于律己，克已奉公，治学谨慎，为人谦和。他的成绩和品德，为我国科技工作建立了一座永存的丰碑，他崇高的科学精力和品德风仪永久值得咱们学习和敬仰！

　　王圩院士的去世不仅是半导体研讨所的严重损失，也是我国科学界、教育界的严重损失。对王圩院士的去世,咱们表明殷切的哀悼!