电阻器等）有很大不同，这些电阻器大范围的使用在其他电子设计。它们专为其光敏性和由此引起的电阻变化而设计。

  这些电子元件可以用各种名称来描述，包括光敏电阻器、LDR、光敏电阻器，甚至光电管、光电管或光电导体。

  虽然也能够正常的使用其他电子元件，如光电二极管或光电晶体管，但LDR或光敏电阻在许多电子电路设计中特别方便使用。它们为光照水平的变化提供了很大的电阻变化。

  鉴于其低成本、易于制造和易于使用，LDR 已被用在所有不同的应用。LDR 曾一度用于照相测光表，即使是现在，它们仍然用于需要检测光照水平的各种应用中。

  光敏电阻或光相关电阻是对光敏感的电子元件。当光线落在它上面时，电阻就会发生明显的变化。LDR 的电阻值可能会在许多数量级上发生明显的变化，电阻值会随着光水平的增加而下降。

  LDR 或光敏电阻的电阻值在黑暗中为几兆欧，然后在明亮的光线下下降到几百欧姆的情况并不少见。

  由于电阻变化如此之大，LDR 易于使用，并且有许多 LDR 电路可用。光敏电阻或光敏电阻的灵敏度也随入射光的波长而变化。

  LDR 由半导体材料制造成，使其具有光敏特性。能够正常的使用许多材料，但这些光敏电阻的一种流行材料是硫化镉 CdS，尽管由于使用镉的环境问题，这些电池的使用现在在欧洲受到限制。

  同样，其他镉基半导体材料，如镉、碲化镉，也受到限制。其他能够正常的使用的材料包括硫化铅、PbS 和锑化铟、InSb。

  虽然这些光敏电阻使用半导体材料，但它们是纯粹的无源器件，因为它们不具有PN结，这将它们与其他光电探测器（如光电二极管和光电晶体管）区分开来。

  电子电路中使用的LDR符号基于电阻电路符号，但以箭头的形式显示光。通过这一种方式，它遵循与光电二极管和光电晶体管电路符号相同的约定，其中箭头用于表示落在这些组件上的光。

  新型电阻器符号（即矩形框）和较旧的锯齿形线电阻器电路符号都显示了光敏电阻器/光敏电阻器电路符号。

  通常，光相关电阻器符号可能没圆圈。这通常在电子电路原理图上完成，以节约空间并减少图上的线和圆的数量，以重新增加复杂性。

  在不深入研究复杂解释的情况下，理解 LDR 工作原理的基础知识相对容易。首先有必要了解电流由电子在材料内的运动组成。

  良导体具有大量的自由电子，这些自由电子可以在电位差的作用下沿给定方向漂移。具有高电阻的绝缘体的自由电子很少，因此很难使它们移动，因此很难有电流流动。

  LDR 或光敏电阻器由任何具有高电阻的半导体材料制造成。它具备极高的电阻，因为很少有电子是自由的还可以移动——绝大多数电子被锁定在晶格中并且无法移动。因此，在这种状态下，LDR电阻很高。

  当光落在半导体上时，光子被半导体晶格吸收，它们的一些能量被传递到电子上。

  传递给电子的能量使其中一些电子有足够的能量从晶格中挣脱出来，这样它们就能导电。这导致半导体电阻降低，以此来降低整体LDR电阻。

  这个过程是渐进的，随着更多的光照射在LDR半导体上，更多的电子被释放开来导电，电阻进一步下降。

  在许多分立式光敏电阻器件中，使用指间图案来增加光敏电阻暴露在光线下的面积。图案在活动区域表面的金属化中切割，这样做才能够让光线通过。两个金属化区域充当电阻器的两个触点。该面积必须做得相对较大，因需要将接触对有源区域的电阻降至最低。

  这种类型的结构大范围的使用在许多可见的小型光敏电阻或光敏电阻。趾间模式非常容易识别。

  光敏电阻使用的材料是半导体，包括 CdSe、CdS、CdTe、InSb、InP、PbS、PbSe、Ge、Is、GaAs 等材料。每种材料在灵敏度波长等方面具有不一样的特性。

  鉴于使用镉的环境问题，这样一种材料在欧洲没有用于任何一个产品，全球对这种半导体的使用量已大大减少。

  本征光敏电阻：本征光敏电阻使用未掺杂的半导体材料，包括硅或锗。落在LDR上的光子激发电子，将它们从价带移动到导带。

  因此，这些电子可以自由导电。落在设备上的光越多，释放的电子就越多，电导率水平就越高，这会导致较低的电阻水平。

  外在光敏电阻：外在光敏电阻由掺杂杂质的材料制造成的半导体。这些杂质或掺杂剂在现有价带上方形成新的能量带。

  无论光敏电阻或光敏电阻的类型如何，这两种类型的电阻都会随着入射光水平的增加而增加或电阻下降。

  光敏电阻的灵敏度随影响器件敏感区域的光的波长而变化。效果很明显，发现如果波长超出给定范围，则无显著的效果。

  由不同材料制造成的设备对不同波长的光有不同的响应，这在某种程度上预示着不同的电子元件能够适用于不同的应用。

  还发现外在光敏电阻往往对较长波长的光更敏感，可用于红外线。然而，在使用红外线时，一定要注意避免热量积聚，但辐射会引起兴高采烈的效果。

  与光敏电阻或光相关电阻器相关的一个重要方面是延迟，即电子元件响应任何变化所需的时间。这方面对于电路设计尤为重要。

  在LDR/光敏电阻达到新光水平的最终值之前，光水平的任何变化都需要相当长的时间，因此，在光值变化相当快的情况下，LDR/光敏电阻不是一个好的选择。然而，当光线变化在一段时间内发生时，它们就足够了。

  电阻变化的速率称为电阻恢复速率。LDR/光敏电阻通常在完全黑暗后施加光时在几十毫秒内做出一定的反应，但当光被移除时，电阻在大多数情况下要长达一秒钟左右的时间才可以做到其最终水平。

  正是出于这个原因，光敏电阻的电子元件数据表中通常引用的规格之一是给定时间（通常以秒为单位）后的暗电阻。通常引用两个值，一个表示一秒，另一个表示五秒。这些给出了电阻器延迟的指示。

  光敏电阻可用于许多不同的应用，并能在许多不同的电子电路设计中看到。它们有很简单的结构，并且是低成本且坚固耐用的设备。

  它们大范围的使用在许多不同的电子设备和电路设计，包括照相测光表、火灾或烟雾报警器以及防盗报警器，它们还用作路灯的照明控制。

  外在光敏电阻器为更长的波长提供灵敏度，因此它们在各种电子电路设计中作为红外光电探测器很受欢迎。光敏电阻也可用于检测核辐射。

  有许多电路用于光相关电阻器。这些LDR电路能基于双极晶体管、FET运算放大器等。

  然而，大多数LDR电路的基础是分电位器，然后可以与其他各种电路一起使用，以根据需要处理电压。

  基本电位分压器由两个串联电阻器组成，其中一端通常连接到固定电位，另一端连接到地。

  注意：这假设分电位器电路在输出端没有对电压产生重大影响的负载。通常，高阻抗 laod 将意味着电路将按预期运行，否则负载和 R2应计算在 parellel 中，以形成电位分隔器下肢的整体阻力。

  可以看出，如果光相关电阻器是，例如R2，然后随着它的变化，电位分压器的输出电压也会发生变化。

  然后，该输出电压可以连接到晶体管、FET、运算放大器或其他合适的电路。它可拿来放大差异，也可以以各种方式用于许多其他电路之一。

  例如，如果LDR在低光照条件下为50kΩ，在照明时为2kΩ，并且分电位器由10 V供电，电阻R1为10kΩ，则假设无负载，输出电压将在低光照条件下的8.33V和全光条件下的0.166V之间变化。

  该电压可以很容易地馈入比较器或其他合适的电路，然后用于驱动逻辑线，该逻辑线可以以某种方式用于处理。

  在考虑在任何电子电路设计中使用 LDR/光敏电阻器时，有几个规格对于光敏电阻器很重要。

  这是器件在给定温度范围内能够耗散的上限功率。在一定温度以上可能适用降额。

  特别是由于该器件是基于半导体的，因此一定要遵守最大工作电压。这通常指定为 0 勒克斯，即黑暗。

  该光敏电阻规格详细说明了最大灵敏度的波长。在某些情况下，可以为整体响应提供曲线。波长以 nm 为单位指定

  光照下的电阻是一个关键规格，是任何光敏电阻的关键参数。通常在某些光照条件下给出最小和最大电阻，通常为 10 勒克斯。由于可能遇到的点差，可能会给出最小值和最大值。在极端照明下，例如100lux，也能给出“完全开启”的条件。

  将给出光敏电阻的暗电阻值。这些可以在给定时间后指定，因为当电荷载流子重新组合时，电阻需要一段时间才能下降 - 光敏电阻以其缓慢的响应时间而著称。

  LDR 是很有用的电子元件，可用在所有光传感应用及其相关的电子电路设计。由于 LDR 电阻在如此宽的范围内变化，因此它们特别有用，并且有许多可用的 LDR 电路设计。

  光相关电阻器被普遍的使用，尽管它们的性能相当缓慢，但它们仍然提供了低婴儿床，但有效的方法来检测光和一般光照水平。

  （RD）、最高工作电压（VM）、亮电流（IL）、暗电流（ID）、时间常数、温度系数灵敏度等。

  及其分类与参数? /

  两大类。按材料名称还可分为硫化镉（ CdS）、硒化镉（CdSe）、硫化铅（PbS）、硒化铅（PbSe）、锑化铟（ InSb）

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