本期的PTL首要研讨方向为：依据梯度光栅周期导模共振（GGP-GMR）的新式折射率传感器，一种3D曲线形状MISIM（金属-绝缘体-硅-绝缘体-金属）混合等离子体的锥形耦合器，一种高功率渐逝耦合波导改善的单行载波（MUTC）光电二极管阵列，依据80GB/s的奈奎斯特单载波和OFDM调制的传输体系，一种无色散诱导功率式微的线性光通讯体系。

  2019年2月出书的PTL首要刊登了以下一些方向的文章，包含：无源器材和光波导、有源光子器材、传感器、光纤网络、光通讯体系等，笔者将逐个分析。

  印度信息技术规划与制作学院的VirendraPatel等研讨人员初次规划了一种3D曲线形状MISIM（金属-绝缘体-硅-绝缘体-金属）混合等离子体的锥形耦合器（如图1所示），用于电介质到多层混合等离子体（MISIM）波导的有用光耦合。他们计算了在1.55μm作业波长下耦合器的传输和损耗特性。该耦合器的传输损耗、形式传输损耗和传输长度分别为99%、0.07dB/μm和58μm，与具有相同参数的线性锥形耦合器比较，具有体积小、耦合效率高和辐射丢失小等长处。他们还将两个曲线锥形耦合器组合，制备了DTD耦合器，并对其功能进行了点评。该研讨对规划有用的纳米光子混合等离子体集成电路具有必定的参考价值[1]。

  图1（a）曲线锥形结构的俯视图；（b）输入介质波导的截面图；（c）输出MISIM等离子体波导；（d）光从介质到等离子体波导的传达（e）形式散布图：（I）介质波导和（II）等离子体波导；（f），（g）在1.55μm波长的等离子体波导中的EY、EX散布

  德国海因里希赫兹学院的PatrickRunge等研讨人员规划了一种高功率渐逝耦合波导改善的单行载波（MUTC）光电二极管阵列（如图2所示）。该阵列由不同数量的光学并联光电二极管组成。他们运用2阵列芯片完成了在1550nm时0.46A/W的呼应，28GHz时3dB的带宽以及40GHz时12dBm的射频输出功率，并在不一样的温度和频率下，测量了体系的线OIP），以确认体系功能的约束要素。依据成果得出，该器材的射频（RF）功率对环境和温度依赖性较小，在较高频率下，波导集成光电二极管在发生射频功率方面表现出优胜的功能，与具有相同吸收层厚度的笔直照明结构比较，波导集成结构答应更高的呼应率，因而该器材在高达60GHz频率的射频发电范畴具有使用潜力[2]。

  立交通大学的Chan-TeHsiung等科研人员规划了一种依据梯度光栅周期导模共振（GGP-GMR）的新式折射率传感器（如图3所示）。该传感器具有很宽的RI查验测验规模和较小尺度。在386至392nm的光栅改变规模内，它能完成0.109RIU的勘探规模，灵敏度为1433.7μm/RIU，可完成的理论和试验勘探极限分别为5.58×10-3和10-2RIU。该器材不仅能简化手持设备体系的制备，还易与智能手机完成集成[3]。

  近年来，在各种数字信号处理计划中，Kramers-Kronig（KK）算法因为其对SSBI的有用按捺而引起了人们的极大爱好。澳大利亚墨尔本大学的ChuanbowenSun等研讨人员依据80GB/s的奈奎斯特单载波和OFDM调制的传输体系，研讨了色散（CD）对信号接纳的影响，试验设备如图4所示。依据成果得出，信号在10e-3的误码率阈值下传输160公里后，IC接纳机所需的OSNR比KK接纳机低1.9分贝。关于KK接纳机来说，最佳载波信号功率比（CSPR）值随传输间隔的添加而增大，而IC接纳机则没有这种现象。最优CSPR的增量显示出KK接纳机对CD的鲁棒性要求很高，而IC接纳机检测到的信号即便在较低的CSPR下也对CD的鲁棒性要求很高。因而，KK接纳机的OSNR灵敏度取决于CD。比较之下，不管CSPRS怎么改变，IC接纳器对CD都具有极高的鲁棒性[4]。

  广东省光纤传感与通讯要点试验室的RuiqiZheng等科研人员规划了一种无色散诱导功率式微的线所示）。它选用双驱动双偏振调制器和线性偏振器的装备，发生了单边带（SSB）射频调制光信号和正交线性偏振非调制光信号。他们经过规划连接到调制器输出的线性偏振器的视点来按捺三阶互调失真，然后大幅度提升了三阶无杂散动态规模（SFDR3）。与传统的正交偏压马赫-曾德尔调制链路比较，该链路的二阶无杂散动态规模（SFDR2）功能没有下降。试验研讨依据成果得出，SSB调制链路中无色散引起的功率式微，在均匀输出光功率为3.1dBm的情况下，SSB调制链路的SFDR3为121.4dB·HZ4/5，该体系中链路的SFDR2为80.1dB·HZ1/2[5]。