根据中国证监会公布的《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司属于制造业中的计算机、通信和其他电子设备制造业（行业代码：C39）。

　　第三代半导体氮化镓射频微波器件具有高输出功率、高效率、大带宽、低热阻强等优良特性，在移动通信系统中作为主要的射频器件，得到愈来愈普遍的应用。博威公司主营业务为氮化镓通信基站射频芯片及器件、微波点对点通信射频芯片与器件的设计、封装、测试和销售，产品大多数都用在5G通信基站及点对点通信的信号发射与接收。目前，公司在氮化镓基站功放领域市场占有率国内第一，产品技术与质量均达到国内领先、国际领先水平，在我国“新基建”——5G基站建设中发挥了及其重要的作用，取得了良好的经济效益与社会效益，带活业内产业链上下游发展与优化升级。

　　据Yole报告统计分析，2022年全球 SiC功率半导体市场规模约为 17.9亿美元，其中新能源汽车相关应用占比达75%；预计到2028年全球SiC功率半导体市场规模接近90亿美元，新能源汽车相关应用占比高达85%，每年以超34%年均复合增长率迅速增加，市场潜力巨大。公司碳化硅功率产品基于自有先进芯片技术，碳化硅功率系列新产品在技术参数、制造成本等方面的有明显的竞争优势，中低压碳化硅功率产品主要使用在于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，高压碳化硅功率产品瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域，实现对硅基 IGBT 功率产品的覆盖与替代。

　　电子陶瓷业务：人工智能、工业互联网、智能网联汽车等新一代信息技术加速集成创新与突破，推动经济社会各领域数字化、网络化、智能化转型不断深化，数字化的经济规模不断扩张、经济贡献慢慢地加强。全球新一轮 AI技术爆发带动算力需求激增，根据中国信通院《中国算力发展指数白皮书》预计未来五年全球算力规模将以超过50%的速度增长，到2025年全球计算设备算力总规模将超过3 ZFlops，至2030年将超过20 ZFlops。算力增长必将推动了数字化的经济蒸蒸日上，带动半导体、通信、消费电子、新能源汽车等行业持续增长，以光模块为代表的电子元器件与半导体设备等行业市场规模将持续稳步上升。公司电子陶瓷系列新产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、红外探测器外壳、大功率激光器外壳、声表晶振类外壳、3D光传感器模块外壳、氮化铝陶瓷基板、集成式加热器、精密陶瓷零部件等，大范围的应用于光通信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体设备等领域。公司开创了我国光通信器件陶瓷外壳产品领域，持续创新材料和精益技术，已成为国内顶级规模的高端电子陶瓷外壳制造商。中瓷电子已入选国务院国资委创建世界一流专业领军示范企业、工信部第八批制造业单项冠军企业和专精特新“小巨人”企业、河北省科技领军企业，建有国家企业技术中心。2023年公司持续加大精密陶瓷零部件领域的研发和投入力度，已开发了氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，建立了精密陶瓷零部件制造工艺平台，开发的陶瓷加热盘产品核心技术指标已达到国际同种类型的产品水平并通过用户验证，已批量应用于国产半导体设备中，精密陶瓷零部件出售的收益同比有大幅增长。

　　氮化镓通信基站射频芯片业务覆盖芯片生产制造环节，主要为博威公司及国联万众提供其终端产品所需的氮化镓通信基站射频芯片。芯片的性能、可靠性决定了下游器件、模组等应用产品的品质，是产业链的核心。氮化镓通信基站射频芯片业务基本的产品为氮化镓射频芯片，频率覆盖通信主要频段400MHz~6.0GHz的典型频段，功率覆盖2-1000W的系列芯片。

　　2023年 10月，中瓷电子完成重大资产重组并募集配套资金行为，成为拥有氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率模块及其应用、电子陶瓷等核心业务能力的高科技企业。

　　重组后公司业务分为两大方面：第三代半导体器件及模块，电子陶瓷材料及元件。

　　氮化镓通信基站射频芯片与器件：在通信基站中大多数都用在移动通信基站发射链路，实现对通信射频信号的功率放大，根据应用场景不同，氮化镓通信基站射频芯片与器件分为大功率基站氮化镓射频芯片及器件和MIMO基站氮化镓射频芯片及器件。微波点对点通信射频芯片与器件主要使用在于点对点通信数据无线回传系统。

　　碳化硅功率模块及其应用：基于自有先进芯片技术，碳化硅功率系列新产品在技术参数、制造成本等方面的有明显的竞争优势，中低压碳化硅功率产品主要使用在于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，高压碳化硅功率产品瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域，实现对硅基 IGBT 功率产品的覆盖与替代。

　　电子陶瓷业务：通信器件用电子陶瓷外壳、工业激光器用电子陶瓷外壳、消费电子陶瓷外壳及基板、汽车电子件、精密陶瓷零部件，大范围的应用于光通信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体设备等领域。

　　氮化镓通信基站射频芯片：分为大、小功率氮化镓通信基站射频芯片两种，覆盖芯片生产制造环节，主要为博威公司及国联万众提供其终端产品所需的氮化镓通信基站射频芯片。

　　建立了完善的研发平台，在氮化镓通信基站、微波点对点通信射频芯片与器件领域具备较强的技术基础，以及产业化批量生产工艺与能力。

　　在研发平台方面，建立了 5G 大功率基站氮化镓射频器件平台、5G MIMO 基站氮化镓射频器件平台、微波点对点通信射频器件平台、半导体器件可靠性技术探讨研究平台，获批建设有“河北省通信基站用第三代半导体产业技术研究院”、“第三代半导体功率器件和微波射频器件河北省工程研究中心”。另外，建立了完善的设计规范与标准，配备了相应的试验设备，有效支撑公司在相应领域的业务拓展、技术升级、质量提升等。

　　技术基础方面，突破了氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件领域设计、封装、测试、可靠性和质量控制等环节关键技术，拥有核心自主知识产权，实现产品系列化开发与产业化。批量生产能力方面，已经具备氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件批量生产能力并不断推进自动化产线建设，相关这类的产品的产能和供货能力较强。

　　公司是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列新产品，主要使用在于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，进一步抢占行业技术高地，在智能电网、动力机车、 轨道交通等高压、超高压领域抢占市场占有率，实现对IGBT功率模块的部分替代。国联万众的碳SiC功率产品质量及稳定性得到比亚迪002594）、珠海零边界等主要客户的认可，在终端市场具有技术先进性和充分竞争力。

　　电子陶瓷业务的技术优势大多数表现在电子陶瓷新材料、半导体外壳仿真设计、生产的基本工艺等方面。

　　在材料方面，公司掌握多种陶瓷体系的知识产权，包括系列化氧化铝陶瓷和系列化氮化铝陶瓷以及与其相匹配的金属化体系。

　　在设计方面，企业具有先进的设计手段和设计软件平台，可以对陶瓷外壳进行结构、布线、电、热、可靠性等来优化设计。公司已可以设计开发800Gbps光通信器件外壳，与国外同种类型的产品技术水平相当；具备氧化铝、氮化铝等陶瓷材料与新型金属封接的热力学可靠性仿真能力，满足新一代无线功率器件外壳散热和可靠性需求。

　　在工艺技术方面，公司具备拥有全套的多层陶瓷外壳制造技术，包括原材料制备、流延、冲孔冲腔、金属化印刷、层压、热切、烧结、镀镍、钎焊、镀金等技术。公司成立了完善的氧化铝陶瓷和氮化铝陶瓷加工工艺平台，建立了以流延成型为主的氧化铝多层陶瓷工艺，以厚膜印刷为主的高温厚膜金属化工艺，以高温焊料为主的钎焊组装工艺，以电镀、化学镀为主的镀镍、镀金工艺，建立了完善的精密陶瓷零部件制造工艺平台。

　　在批量生产能力方面，公司已具备高端电子陶瓷外壳批量生产能力并不断推进自动化产线建设，相关这类的产品的产能和供货能力较强。

　　在车用加热器方面，公司已具备完整的汽车电子科技类产品制造工艺，包括陶瓷测温环的生产制造、加热元器件制备、产品一体化注塑、自动定位焊接、自动化组装流水线、真空灌胶密封以及自动化气密性和电性能检测等技术。

　　氮化镓通信基站射频芯片业务基本的产品为4/6英寸氮化镓射频芯片，是国内少数实现批量供货主体之一。氮化镓通信基站射频芯片业务覆盖芯片生产制造环节，主要为博威公司及国联万众提供其终端产品所需的氮化镓通信基站射频芯片。芯片的性能、可靠性决定了下游器件、模组等应用产品的品质，是产业链的核心。氮化镓通信基站射频芯片业务基本的产品为氮化镓射频芯片，频率覆盖通信主要频段400MHz~6.0GHz的典型频段，功率覆盖2-1000W的系列芯片。

　　第三代半导体器件及模块：作为国内领先的氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件供应商，与客户深入合作，产品性能达到国内领先、国际领先水平，质量放心可靠，行业知名度较高，在业内树立了企业良好的市场形象，品牌知名度和信誉度得到用户的高度认可。碳化硅功率产品的相关研发、设计、制造、封装测试、销售等方面均可独立运行的完整产业链。碳化硅功率模块主要使用在于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，目前已与比亚迪、格力等重要客户签订供货协议并供货。

　　电子陶瓷材料及元件：电子陶瓷产品质量放心可靠，行业知名度较高。经过多年的积累，公司已成为大批国内外电子行业领先企业的供应商，甚至是核心供应商，并与其建立了长期、稳定的合作伙伴关系。公司客户对供应商的资格要求普遍较高，认证过程较为严格，认证周期长。公司与现有核心客户建立了长期战略合作伙伴关系，为未来发展奠定了良好的市场基础。

　　作为国内领先的氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件供应商，公司在细致划分领域市场占有率国内第一，产品技术与质量均达到国内领先、国际领先水平，与客户深入合作，行业知名度较高，在业内树立了企业良好的品牌形象，品牌知名度和信誉度得到用户的高度认可。

　　公司专门干第三代半导体氮化镓和碳化硅芯片、器件的设计、生产与销售，同时开展第三代半导体封装、模块、科技服务等业务。氮化镓射频功放芯片技术水平达到国际领先，并已在世界主流通信公司得到规模应用；碳化硅MOSFET技术水平达到国际先进，并已在新能源汽车、充电桩等领域开始大批量应用。国联万众公司是国家第三代半导体创新技术中心（北京）主要建设和运营主体单位，并同时拥有国家“双创”支撑平台、众创空间、中关村硬科技孵化平台、北京市科技公司孵化器等资质。公司投资建设了第三代半导体材料及应用联合创新基地，先后引进了多家第三代半导体产业链上下游骨干企业，形成第三代半导体产业集聚效应，助力北京市第三代半导体产业高质量发展。

　　作为国内电子陶瓷行业的领先企业，电子陶瓷市场占有率居国内行业前列，并致力于发展变成全球一流的电子陶瓷产品供应商。作为电子陶瓷行业的领跑者，公司热情参加品牌经营，重视品牌建设，树立了企业良好的市场形象。企业成立以来，品牌知名度和信誉度逐渐得到用户的高度认可，陆续与多家世界知名光通信生产厂商建立了良好的合作伙伴关系。在陶瓷外壳系列新产品方面，公司是国内能与国际有名的公司进行竞争的少数厂商之一，是我国电子陶瓷外壳的主要代表企业，是国务院国资委创建世界一流专业领军示范企业、工信部第八批制造业单项冠军企业和专精特新“小巨人”企业，在国内电子陶瓷行业具备极其重大影响力。

　　自成立以来，公司始终专注于主营业务的发展，坚定走专业化道路，制定了清晰的发展的策略。2023年公司重大资产重组完成后，上市公司保持标的资产原有经营管理团队的相对独立和稳定，并在业务层面授予其较大程度的自主度和灵活性，以保证交易完成后主营业务的稳定可持续发展。同时，上市公司选派适格人员进入子公司董事会、监事会、高级管理层及财务部门，促进子公司规范运作。上市公司利用多元化的员工奖励方式，推动核心团队的建设、健全人才教育培训机制，加强对优秀人才的吸引力，从而保障上市公司及分、子公司现有经营团队的稳定和发展。

　　在研发人才方面，坚持“以人为本”的理念，不拘一格引进、聚集各类高素质的人才并使之发挥最大的潜能，以实现研发中心的发展壮大。主要是通过开放课题、公开招聘、国家重点项目、高层次人才引进等方式，引和招聘国内外高品质人才，逐步扩大研发中心人才队伍，努力造就一批世界水平的研究人员、工程师和创新团队，培养一线技术人员和青年科学技术人才。建立人才吸引、利用、培养、评价等全流程完善激励机制，不断壮大公司的研发队伍、调动研发人员的积极性。

　　2023年公司经营状况良好，实现营业收入2,675,566,462.48元，较上年同期增长6.52%；归属于上市公司股东的净利润489,982,488.88元，较上年同期增长 7.11%。2023年，公司完成资产重组且始终着力于主营业务发展和核心技术创新，慢慢地增加公司的研发能力、提升产品的质量以及提升生产效率，随义务规模的逐步扩大，公司也在不断积极开拓新市场，扩展新产品，保持公司产品竞争优势，不断推动公司健康发展。

　　中瓷电子坚持“为客户创造价值”的宗旨，秉承“自主创新、追求卓越”的发展理念，坚持专业专注的发展道路。完成重大资产重组后，公司产业布局新增氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率模块及其应用之相关业务的设计、制造、封测等核心环节，产业完整程度较高，是践行国家战略，保障我国关键核心元器件自立自强的重要举措；通过重组，中瓷电子成为了拥有氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率模块及其应用、电子陶瓷等核心业务能力的高科技企业。

　　将始终以市场需求为导向，全力发展5G射频集成电路、电子元器件等的设计研发和生产制造，以前瞻性技术研发为动力，坚持高端化、规模化、品牌化的理念，充分的发挥技术工艺、客户品牌、产能布局、经营规模、产品 质量等优势，加强完善公司产品结构、壮大主营业务。一方面，将围绕优势领域，深入研究通信基站用氮化镓功放的高效率设计技术、宽带匹配技术、线性化技术、低成本和小型化技术和高可靠设计技术，完成主要营业产品的升级换代，继续保持在该领域的技术先进性。另一方面，加快新领域研发技术，布局5.5G/6G、星链通信等射频芯片与器件技术探讨研究，突破关键核心技术，满足更为丰富的业务应用场景以及更高的性能需求，保证公司在通信用核心芯片和器件领域从始至终保持技术引领，为我国移动通信技术的创新发展提供有力支撑。

　　碳化硅功率模块及其应用，将建设和开展“第三代半导体工艺及封测平台建设项目”和“碳化硅高压功率模块关键研发技术项目”，在提升技术水平的同时进一步补充芯片及模块产能，逐步扩大碳化硅功率模块及其应用的范围，涵盖设计、芯片、封装、模块、科技服务等业务，成为国际一流的第三代半导体骨干企业。

　　坚持聚焦电子陶瓷产业领域，坚持以客户的真实需求为导向、以技术创新为牵引，凭借雄厚技术能力、先进的工艺设备、优良的产品质量、价格和服务优势，实现持续加快速度进行发展，致力于变成全球一流的电子陶瓷供应商。

　　氮化镓通信基站射频芯片分为大、小功率氮化镓通信基站射频芯片两种，覆盖芯片生产制造环节，作为产业链的核心，公司将持续提升芯片的性能、可靠性，从而提升下游器件、模组等应用产品的品质。在上市公司整体经营目标和战略规划下，在业务、资源、资产、财务、人员和机构等方面对重组标的资产进行整合管理，促进业务有效融合，优化资源配置，提高经营效率和效益，提升上市公司整体盈利能力。

　　加强募集资金管理，积极地推进“氮化镓微波产品精密制造生产线建设项目”、“通信功放与微波集成电路研发中心建设项目”、“第三代半导体工艺及封测平台建设项目”、“碳化硅高压功率模块关键研发技术项目”的建设。

　　凭借重组后公司优秀、稳定的技术团队，雄厚的研发实力和科学技术创新能力，实现关键性颠覆性技术突破，加快发展新质生产力。

　　公司良好发展的主要的因素之一是国家产业政策和规划的支持，若未来国家及行业政策做调整，有可能对公司发展及募投项目实施产生影响。

　　应对措施：持续关注国家各项经济政策和产业政策，汇聚各方信息。在制定公司发展的策略时，充分的利用国家政策的利好，规避政策变化的不利影响。在公司运营中，形成公司的经营、技术、产品等综合优势，增强抵御政策风险的能力。

　　公司面临的经营环境日趋复杂，公司组织模式和管理制度有几率存在不能满足公司未来发展需要的可能。

　　应对措施：重视合规经营，持续完善内部控制制度。针对经营环境变化风险，引进先进的管理理念，重视人才教育培训和储备，改进管理制度，以符合公司发展的策略的需求。

　　在国际形势愈发复杂，消费电子市场不明朗的情况下，市场波动加剧，若公司不能持续保持技术领先和产品质量优势，公司可能会在越来越激烈的市场之间的竞争中失去竞争优势，导致公司市场占有率下降。应对措施：始终贯彻以市场需求带动公司发展的策略，准确判断市场发展趋势和趋势；重视技术的发展趋势，不断的提高公司研发水平和产品技术，开拓新产品领域，进一步分散化解风险。应对措施：公司时刻关注电子科技类产品更新换代趋势，紧跟市场及技术方向来加快新产品研究开发，项目产品结构将随市场需求变化而调整，保持公司产品适当的毛利率水平。

　　上市公司在经济活动中的特殊意义，决定了会获得更高的关注度，舆情管理不当，会造成股价波动、公司声誉受损以及经济损失。

　　应对措施：加强日常舆情监测预警和分析，健全应急管理机制，提高上市公司信息公开披露管理上的水准和质量，保证信息披露真实、准确、及时；加强企业内部管理上的水准，保证合法合规经营，不触及法律红线和道德底线。

　　“年”和“年度”傻傻分不清楚！倍轻松、杭州银行、启明信息等公司信披出错，审计机构涉及天健会计师、普华永道等

　　已有207家主力机构披露2023-12-31报告期持股数据，持仓量总计3918.11万股，占流通A股56.39%

　　近期的平均成本为61.70元。该股资金方面呈流出状态，投资者请谨慎投资。该公司运营状况尚可，暂时未获得多数机构的显著认同，后续可继续关注。

　　限售解禁：解禁7921万股(预计值)，占总股本比例24.59%，股份类型：定向增发机构配售股份。(本次数据根据公告推理而来，真实的情况以上市公司公告为准)

　　限售解禁：解禁396.2万股(预计值)，占总股本比例1.23%，股份类型：定向增发机构配售股份。(本次数据根据公告推理而来，真实的情况以上市公司公告为准)

　　限售解禁：解禁2994万股(预计值)，占总股本比例9.29%，股份类型：定向增发机构配售股份。(本次数据根据公告推理而来，真实的情况以上市公司公告为准)

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　　不良信息举报电话举报邮箱：增值电信业务经营许可证：B2-20090237